Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate - GREYC electronique
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate

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Dates et versions

hal-04761108 , version 1 (30-10-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04761108 , version 1

Citer

Jash Mehta, Yannick Guhel, Julien Bassaler, Yvon Cordier, Philippe Ferrandis, et al.. Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate. European Materials Research Society (EMRS) Fall 2024, Sep 2024, Varsovie, Poland. ⟨hal-04761108⟩
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